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DMN65D8LFB-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

非準拠

DMN65D8LFB-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.06416 -
6,000 $0.05640 -
15,000 $0.04865 -
30,000 $0.04606 -
75,000 $0.04348 -
150,000 $0.03831 -
356 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 260mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 25 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 430mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ X1-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-UFDFN
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