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DMP2006UFGQ-13

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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

非準拠

DMP2006UFGQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.45205 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17.5A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7500 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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