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DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

compliant

DMT10H010SPS-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.59160 -
5,000 $0.56542 -
12,500 $0.54672 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.7A (Ta), 113A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 56.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4468 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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