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DMT10H025SK3-13

DMT10H025SK3-13

DMT10H025SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R

非準拠

DMT10H025SK3-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.27822 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 41.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 23mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1544 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.4W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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