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PJS6416_S1_00001

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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJS6416_S1_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 27mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 513 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-6
パッケージ/ケース SOT-23-6
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関連部品番号

NTE4153NT1G
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$0 $/ピース
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IPA60R650CEXKSA1
SI7113DN-T1-GE3
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SCH1436-TL-W
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HUF75339S3ST
FQD1N50TM
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NVTFS4C08NWFTWG
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SUM90220E-GE3
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