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DMT3009LFVWQ-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

非準拠

DMT3009LFVWQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.34572 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 3.8V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 823 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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