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DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

compliant

DMT3011LDT-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.40388 -
6,000 $0.37913 -
15,000 $0.36675 -
30,000 $0.36000 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A, 10.7A
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.2nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 641pF @ 15V
パワー - 最大 1.9W
動作温度 -55°C ~ 155°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3030-8 (Type K)
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関連部品番号

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NTMFD1D4N02P1E
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DMN65D8LDWQ-7
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SI8902AEDB-T2-E1
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$0 $/ピース
NXH010P120MNF1PG
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$0 $/ピース
MMPA60P1000TLA
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PJT7002H_R1_00001
NTTFD4D1N03P1E
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$0 $/ピース
APTC80A15SCTG
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NDH8321C
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$0 $/ピース

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