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DMT4008LFV-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

非準拠

DMT4008LFV-13 価格と注文

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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.1A (Ta), 54.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1179 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.9W (Ta), 35.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (Type UX)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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