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DMT64M8LCG-7

DMT64M8LCG-7

DMT64M8LCG-7

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

compliant

DMT64M8LCG-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.43705 $0.43705
500 $0.4326795 $216.33975
1000 $0.428309 $428.309
1500 $0.4239385 $635.90775
2000 $0.419568 $839.136
2500 $0.4151975 $1037.99375
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 47.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2664 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 990mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3333-8 (Type B)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

RF1S530SM9A
DMN3060LW-7
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MTY30N50E
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IRF631
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$0 $/ピース
IXTP120N20X4
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$0 $/ピース
APTM20DAM04G
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IXTY1N100P-TRL
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