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DMTH10H015SK3-13

DMTH10H015SK3-13

DMTH10H015SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

compliant

DMTH10H015SK3-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.48325 $0.48325
500 $0.4784175 $239.20875
1000 $0.473585 $473.585
1500 $0.4687525 $703.12875
2000 $0.46392 $927.84
2500 $0.4590875 $1147.71875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 59A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2343 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NVD4806NT4G
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$0 $/ピース
IXTY1R4N120PHV
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$0 $/ピース
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IXTA44P15T
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RQ6G050ATTCR
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FCPF11N60
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IPB017N10N5LFATMA1
2SK3814-AZ

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