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DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

compliant

DMTH10H1M7STLW-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.00762 $3.00762
500 $2.9775438 $1488.7719
1000 $2.9474676 $2947.4676
1500 $2.9173914 $4376.0871
2000 $2.8873152 $5774.6304
2500 $2.857239 $7143.0975
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 250A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 147 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9871 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6W (Ta), 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ POWERDI1012-8
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
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関連部品番号

IRLB3034PBF
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$0 $/ピース
SIHA17N80AE-GE3
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PJA3433_R1_00001
HUFA75307T3ST
RM4N700LD
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IRFH8324TRPBF
STB2N62K3
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$0 $/ピース
SI4835DDY-T1-E3
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PHB33NQ20T,118
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$0 $/ピース

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