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DMTH6004LPSQ-13

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DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

compliant

DMTH6004LPSQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.92945 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 47.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4515 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.6W (Ta), 138W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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