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IPB024N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

compliant

IPB024N10N5ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $2.73396 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 180A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.8V @ 183µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10200 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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関連部品番号

IPW80R280P7XKSA1
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SCTWA90N65G2V-4
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NTTFS3D7N06HLTWG
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NDS9410A
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IRF1405PBF
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