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ZXMN10A08E6QTA

ZXMN10A08E6QTA

ZXMN10A08E6QTA

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

compliant

ZXMN10A08E6QTA 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.39173 $0.39173
500 $0.3878127 $193.90635
1000 $0.3838954 $383.8954
1500 $0.3799781 $569.96715
2000 $0.3760608 $752.1216
2500 $0.3721435 $930.35875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 405 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6
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関連部品番号

PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
$0 $/ピース
2SK1290-AZ
FQPF2N60C
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$0 $/ピース
IRLHS6342TRPBF
SQA405CEJW-T1_GE3
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$0 $/ピース
SQJ456EP-T1_GE3
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$0 $/ピース
DMP31D7LT-13
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$0 $/ピース
STI14NM50N
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$0 $/ピース
SIHFU310-GE3
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SISS61DN-T1-GE3
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$0 $/ピース

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