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SISS61DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

非準拠

SISS61DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 231 nC @ 10 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8740 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

STB270N4F3
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FDD9409L-F085
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