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G2R1000MT17J

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G2R1000MT17J

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

compliant

G2R1000MT17J 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.82000 $6.82
500 $6.7518 $3375.9
1000 $6.6836 $6683.6
1500 $6.6154 $9923.1
2000 $6.5472 $13094.4
2500 $6.479 $16197.5
18000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 20V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 2mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) +20V, -10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 139 pF @ 1000 V
FET機能 -
消費電力(最大) 54W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-7
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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関連部品番号

IPB090N06N3GATMA1
IPB65R110CFDAATMA1
FQI4N90TU
FQI4N90TU
$0 $/ピース
SI4134DY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3
$0 $/ピース
STP9NK70ZFP
STP9NK70ZFP
$0 $/ピース
FDB33N25TM
FDB33N25TM
$0 $/ピース
SIHD1K4N60E-GE3
SIHD1K4N60E-GE3
$0 $/ピース
R8002ANJFRGTL
R8002ANJFRGTL
$0 $/ピース
APT19M120J
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$0 $/ピース

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