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1002

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N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2

1002 データシート

compliant

1002 価格と注文

単価 外貨価格
1 $10.95000 $10.95
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 250mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 387 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

DMN6066SSSQ-13
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STU6N65M2-S
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RFH30N12
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NTMFS4C10NAT1G
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NVMFWS3D6N10MCLT1G
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ISC0603NLSATMA1
2SK4100LS
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APTM100UM65SCAVG
SSF10N80A
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MSJP11N65A-BP
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