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G06N06S

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N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

G06N06S データシート

compliant

G06N06S 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
2146 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1600 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

RJJ0621DPP-00#T2
DMN10H170SFGQ-7
STY30N50E
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$0 $/ピース
IPA600N25NM3SXKSA1
R6009KNXC7G
R6009KNXC7G
$0 $/ピース
EPC2218A
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$0 $/ピース
2SK1283(1)-AZ
NTTFS030N06CTAG
NTTFS030N06CTAG
$0 $/ピース
DMP2021UTSQ-13
DMP2021UTSQ-13
$0 $/ピース
G08N06S
G08N06S
$0 $/ピース

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