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G2312

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N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

G2312 データシート

compliant

G2312 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
2990 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 780 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

DMN3009LFV-13
DMN3009LFV-13
$0 $/ピース
SIHU6N80AE-GE3
SIHU6N80AE-GE3
$0 $/ピース
SIRA90DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
2SK680A-T2-AZ
ISZ0804NLSATMA1
FCPF190N60E-F152
PC3M0060065L
PC3M0060065L
$0 $/ピース
IPW65R110CFD7XKSA1
2SJ302-Z-AZ
NTC020N120SC1
NTC020N120SC1
$0 $/ピース

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