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GC11N65T

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N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

GC11N65T データシート

非準拠

GC11N65T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.78000 $1.78
500 $1.7622 $881.1
1000 $1.7444 $1744.4
1500 $1.7266 $2589.9
2000 $1.7088 $3417.6
2500 $1.691 $4227.5
98 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 901 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IRF1404ZSTRLPBF
FDB024N06
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$0 $/ピース
IPD80R900P7ATMA1
IPU95R2K0P7AKMA1
IPZA60R120P7XKSA1
BSC028N06LS3GATMA1
DMN2990UFO-7B
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$0 $/ピース
PMV50EPEAR
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$0 $/ピース
NTD4909N-1G
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$0 $/ピース
PJD10N10_L2_00001

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