ichome.comへようこそ!

logo

FDB024N06

FDB024N06

FDB024N06

onsemi

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

FDB024N06 データシート

compliant

FDB024N06 価格と注文

単価 外貨価格
800 $3.05318 $2442.544
1,600 $2.86016 -
2,400 $2.72505 -
13 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 226 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 14885 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 395W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IPD80R900P7ATMA1
IPU95R2K0P7AKMA1
IPZA60R120P7XKSA1
BSC028N06LS3GATMA1
DMN2990UFO-7B
DMN2990UFO-7B
$0 $/ピース
PMV50EPEAR
PMV50EPEAR
$0 $/ピース
NTD4909N-1G
NTD4909N-1G
$0 $/ピース
PJD10N10_L2_00001
IPD18DP10LMATMA1
DMN24H11DSQ-7
DMN24H11DSQ-7
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。