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GC20N65Q

GC20N65Q

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N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

GC20N65Q データシート

compliant

GC20N65Q 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.85000 $3.85
500 $3.8115 $1905.75
1000 $3.773 $3773
1500 $3.7345 $5601.75
2000 $3.696 $7392
2500 $3.6575 $9143.75
50 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1724 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 151W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

IXFH80N65X2-4
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SQM120N06-06_GE3
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STU7LN80K5
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STD10NM60N
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APT8056BVRG
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IPI60R299CP
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DMN2058UW-13
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