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GT52N10D5

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N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

GT52N10D5 データシート

compliant

GT52N10D5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.64000 $1.64
500 $1.6236 $811.8
1000 $1.6072 $1607.2
1500 $1.5908 $2386.2
2000 $1.5744 $3148.8
2500 $1.558 $3895
12735 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 71A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2626 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 79W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (5.2x5.86)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

FDMC0202S
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$0 $/ピース
UPA1919TE-T1-AT
DMN29M9UFDF-7
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NDF04N60ZG-001
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$0 $/ピース
2SK4084LS
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IXFT16N120P-TRL
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DMJ65H430SCTI
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SL3007-TP
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DMT3006LFG-7
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