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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 31A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 63 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1200 pF @ 25 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 110W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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