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FQD1N80TM

FQD1N80TM

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

SOT-23

FQD1N80TM データシート

非準拠

FQD1N80TM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.35313 -
5,000 $0.32878 -
12,500 $0.31660 -
25,000 $0.30996 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 195 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPB60R180P7ATMA1
FDS2572
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$0 $/ピース
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2SK3702
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$0 $/ピース
RM47N650T7
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$0 $/ピース
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IAUT260N10S5N019ATMA1
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BSC150N03LD
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