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BSB104N08NP3GXUSA1

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MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON

compliant

BSB104N08NP3GXUSA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.65850 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 40µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2100 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース 3-WDSON
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関連部品番号

BSB056N10NN3GXUMA1
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BUK9515-60E,127
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SIA461DJ-T1-GE3
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STB45N65M5
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IRFIB5N65APBF
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BUK7Y18-55B,115
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