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BSC190N12NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

compliant

BSC190N12NS3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.77030 -
10,000 $0.74467 -
1726 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.6A (Ta), 44A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 19mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 42µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2300 pF @ 60 V
FET機能 -
消費電力(最大) 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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