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BSO303P

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P-CHANNEL POWER MOSFET

BSO303P データシート

非準拠

BSO303P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.2A
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72.5nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1761pF @ 25V
パワー - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ PG-DSO-8
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関連部品番号

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MCH6662-TL-H
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SI4542DY-T1-E3
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