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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 36A (Tc) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | - |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 83mOhm @ 13A, 18V |
| vgs(th) (最大) @ id | 5.7V @ 5.6mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 34 nC @ 18 V |
| vgs (最大) | +18V, -15V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 1145 pF @ 800 V |
| FET機能 | Standard |
| 消費電力（最大） | 181W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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