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IPA65R190E6XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

非準拠

IPA65R190E6XKSA1 価格と注文

単価 外貨価格
500 $2.07506 $1037.53
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 730µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1620 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 34W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3-111
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

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FCB070N65S3
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SPP04N60C2
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