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IPB034N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

非準拠

IPB034N06L3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.81744 -
2,000 $0.76107 -
5,000 $0.73288 -
10,000 $0.71750 -
35 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 90A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 93µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 79 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 13000 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 167W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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FDB8442-F085
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FDU6N25
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$0 $/ピース
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NTK3043NT1G
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SI7613DN-T1-GE3
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CSD18511Q5AT
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SIE822DF-T1-GE3
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