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IPB039N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

compliant

IPB039N10N3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.43550 -
2,000 $1.33650 -
5,000 $1.28700 -
12496 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 160A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 160µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8410 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 214W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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関連部品番号

SI3493BDV-T1-BE3
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C2M0280120D
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RSQ020N03TR
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STL92N10F7AG
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IXTX90P20P
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STP8N90K5
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SI8806DB-T2-E1
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SI7489DP-T1-GE3
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