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SI8806DB-T2-E1

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SI8806DB-T2-E1

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT

非準拠

SI8806DB-T2-E1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.18050 -
6,000 $0.16950 -
15,000 $0.15850 -
30,000 $0.15080 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 43mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 4-Microfoot
パッケージ/ケース 4-XFBGA
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