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IPB054N06N3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

非準拠

IPB054N06N3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.71990 -
2,000 $0.67190 -
5,000 $0.63831 -
10,000 $0.61431 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 58µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6600 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 115W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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