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IPB085N06L G

IPB085N06L G

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MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

SOT-23

非準拠

IPB085N06L G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 8.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 125µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 3500 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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