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IPB100N04S2L-03ATMA2

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IPB100N04S2L-03ATMA2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.09000 $2.09
500 $2.0691 $1034.55
1000 $2.0482 $2048.2
1500 $2.0273 $3040.95
2000 $2.0064 $4012.8
2500 $1.9855 $4963.75
17740 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

APT34F100L
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IXFB210N30P3
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VP0808L-G
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FQB11P06TM
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