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IPB120N06S4H1ATMA2

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MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

compliant

IPB120N06S4H1ATMA2 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.58066 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 21900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

HUFA75329S3ST
FCPF360N65S3R0L-F154
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$0 $/ピース
IXTH360N055T2
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$0 $/ピース
RW1E015RPT2R
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$0 $/ピース
NTMFS6H836NT1G
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TSM80N1R2CI C0G
IRF2807STRLPBF
IRFF9232
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$0 $/ピース
IRFP350LCPBF
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$0 $/ピース
NTB004N10G
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$0 $/ピース

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