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IPB65R150CFDAATMA1

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MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK

compliant

IPB65R150CFDAATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $2.62955 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 900µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2340 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 195.3W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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