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IPB65R380C6

IPB65R380C6

IPB65R380C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPB65R380C6 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
3263 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 320µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 710 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IPS105N03LGAKMA1
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IRFIZ48GPBF
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C2M0045170D
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HUF76009P3
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FQPF7P20
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PSMN1R2-55SLH
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