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IPD19DP10NMATMA1

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IPD19DP10NMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

compliant

IPD19DP10NMATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 186mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1.04mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IXFN62N80Q3
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$0 $/ピース
NX138AKMYL
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$0 $/ピース
MSC035SMA070B4
DMT12H065LFDF-13
UPA2719GR-E1-AT
IXTA28P065T
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IRLL024NTRPBF
STW12N150K5
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DMP3099LQ-7
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$0 $/ピース

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