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IPD60R145CFD7ATMA1

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MOSFET N CH

非準拠

IPD60R145CFD7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.66241 -
9969 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 145mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 340µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1330 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK (TO-252)
パッケージ/ケース TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
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