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IPG20N06S2L65AATMA1

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MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

非準拠

IPG20N06S2L65AATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.54687 -
10,000 $0.52631 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 14µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 410pF @ 25V
パワー - 最大 43W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-10
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