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IPG20N10S4L35AATMA1

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MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

compliant

IPG20N10S4L35AATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.51234 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A
rds オン (最大) @ id、vgs 35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 16µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17.4nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1105pF @ 25V
パワー - 最大 43W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount, Wettable Flank
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-10
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