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FDD3510H

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onsemi

MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252

FDD3510H データシート

非準拠

FDD3510H 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.53529 -
5,000 $0.51001 -
12,500 $0.49194 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel, Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.3A, 2.8A
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800pF @ 40V
パワー - 最大 1.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252 (DPAK)
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