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IPL60R180P6AUMA1

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MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON

非準拠

IPL60R180P6AUMA1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.66416 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 750µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2080 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 176W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
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