ichome.comへようこそ!

logo

IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

compliant

IPP110N20N3GXKSA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.11000 $7.11
10 $6.40000 $64
100 $5.26250 $526.25
500 $4.40914 $2204.57
1,000 $3.84021 -
2425 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 88A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 270µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7100 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

R6009JNJGTL
R6009JNJGTL
$0 $/ピース
NVMFS6H836NLWFT1G
NVMFS6H836NLWFT1G
$0 $/ピース
APT60M80L2VRG
APT60M80L2VRG
$0 $/ピース
IXTT110N10L2
IXTT110N10L2
$0 $/ピース
RM150N100T2
RM150N100T2
$0 $/ピース
IRF3710PBF
IRF3710PBF
$0 $/ピース
FDU8586
FDU8586
$0 $/ピース
2SK3635-Z-E1-AZ
PSMN1R5-50YLHX
PSMN1R5-50YLHX
$0 $/ピース
IPD640N06LGBTMA1

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。