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IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

非準拠

IPT65R195G7XTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $1.70806 -
6,000 $1.64384 -
1732 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 240µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 996 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 97W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース 8-PowerSFN
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