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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 31.2A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4.5V @ 1.3mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 118 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 3240 pF @ 100 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 277.8W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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