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IRF1902GPBF

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MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

非準拠

IRF1902GPBF 価格と注文

単価 外貨価格
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 700mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 310 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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