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IRF5802TRPBF

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MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6

非準拠

IRF5802TRPBF 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.22266 -
6,000 $0.20974 -
15,000 $0.19681 -
30,000 $0.18777 -
660 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 900mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 88 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Micro6™(TSOP-6)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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